【摘 要】
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采用超声雾化辅助气相化学沉积方法,以单丁基三氯化锡为Sn源,氟化铵为F 源掺杂剂,在普通浮法白玻上均匀制备了 F：SnO2(FTO)透明导电薄膜.采用X射线衍射、扫描电镜、紫外可见光谱、傅里叶红外光谱、四探针等测试方法分析样品,研究了溶剂种类、F 掺杂浓度对FTO 薄膜微观结构形貌和光电性能的影响.研究结果表明甲醇相较于乙醇作为溶剂,可以更为有效的提高F 的掺入效率；随着F 掺杂浓度从0提高到0.
【机 构】
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浙江大学材料科学与工程学系,硅材料国家重点实验室,杭州 310027
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采用超声雾化辅助气相化学沉积方法,以单丁基三氯化锡为Sn源,氟化铵为F 源掺杂剂,在普通浮法白玻上均匀制备了 F：SnO2(FTO)透明导电薄膜.采用X射线衍射、扫描电镜、紫外可见光谱、傅里叶红外光谱、四探针等测试方法分析样品,研究了溶剂种类、F 掺杂浓度对FTO 薄膜微观结构形貌和光电性能的影响.研究结果表明甲醇相较于乙醇作为溶剂,可以更为有效的提高F 的掺入效率；随着F 掺杂浓度从0提高到0.015 mol/L,薄膜样品的可见光平均透过率从70％下降到50％,方阻从94.25 Ω 下降到2.95 Ω,辐射率从0.71 下降到0.26；但当F 掺杂浓度继续提高时,薄膜的光电性能和低辐射性能反而下降.
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