【摘 要】
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本文采用WIN的0.15μm GaAs PHEMT工艺设计了一款工作于14～14.5GHz的五位单片数字衰减器,采用了简易T型以及T型两种衰减结构,同时串联两个PHEMT用以增强关态时的隔离度.仿真显示插入损耗小于2.8dB,全态衰减附加相移小于±2.5°,实现了较低的附加相移,输入端口回波损耗优于15dB,输出端口回波损耗优于17dB,衰减精度小于±0.3dB.
【机 构】
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电子科技大学电子工程学院,成都611731
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本文采用WIN的0.15μm GaAs PHEMT工艺设计了一款工作于14～14.5GHz的五位单片数字衰减器,采用了简易T型以及T型两种衰减结构,同时串联两个PHEMT用以增强关态时的隔离度.仿真显示插入损耗小于2.8dB,全态衰减附加相移小于±2.5°,实现了较低的附加相移,输入端口回波损耗优于15dB,输出端口回波损耗优于17dB,衰减精度小于±0.3dB.
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