【摘 要】
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本文介绍了中带电压法、电荷泵法和双晶体管法等运用于MOS结构器件中分离由辐射效应引起的界面态电荷与氧化层陷阱电荷的方法,主要分析了它们实现分离电荷的原理,以及各种方
【机 构】
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华南理工大学物理科学与技术学院微电子学系,广州,510640
【出 处】
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2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会
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本文介绍了中带电压法、电荷泵法和双晶体管法等运用于MOS结构器件中分离由辐射效应引起的界面态电荷与氧化层陷阱电荷的方法,主要分析了它们实现分离电荷的原理,以及各种方法的优点和局限性.
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