【摘 要】
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采用卷对卷PECVD设备在聚酰亚胺衬底上连续生长制作柔性硅基薄膜太阳电池,大面积(8cm×8cm)单结电池单片效率目前达到6%(AMO).采用电池片互联和层压技术制作薄膜电池组件,组件贴装比达到92%,平均面密度为320g/m2,转换效率衰减6%.
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采用卷对卷PECVD设备在聚酰亚胺衬底上连续生长制作柔性硅基薄膜太阳电池,大面积(8cm×8cm)单结电池单片效率目前达到6%(AMO).采用电池片互联和层压技术制作薄膜电池组件,组件贴装比达到92%,平均面密度为320g/m2,转换效率衰减6%.
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选择性发射极技术有效地解决了太阳能电池表面轻掺杂以避免“死层”和重掺杂来获得良好欧姆接触的矛盾,被公认为是一种有效提高电池光电性能的技术.本文报道了一种简单、低成本实现选择性发射极太阳电池的技术——磷墨技术.大规模生产中,在B级硅片上实现了平均效率为19.01%的选择性发射极电池,其中最佳效率达19.27%,而对比组(均匀结电池)的平均效率仅为18.56%.而且令人兴奋的是,这种选择性发射极电池的
作为多晶硅材料中最重要的缺陷之一,晶界可以向硅禁带中引入深能级从而降低硅片性能.本文利用特殊的(110)/(100)键合样品,研究了氢钝化对晶界电学性能的影响.采用有效载流子寿命表征和电流/电容-电压特性曲线的方法,研究氢钝化对晶界能级电学特性的影响,得到了氢钝化前后能级所处的位置以及所对应的载流子捕获截面.在氢钝化后,硅片的有效载流子寿命提高,晶界引入的能级位置变浅,晶界态密度和载流子捕获界面也
在有籽晶铸锭过程中,保护籽晶在硅料熔化阶段不被完全熔化是实现这一铸锭技术的关键.本文运用计算机模拟技术对改进型坩埚护板进行模拟研究,分析其在铸锭过程中对籽晶熔化界面及晶体生长界面的影响,并结合实际铸锭进行验证.结果表明,该改进型护板能有效提高硅料熔化后期坩埚底部的温度梯度,从而达到保护籽晶的目的,硅锭整体剩余籽晶高度差从改进前的10mm降低到改进后的2mm;同时,晶体生长界面较改进前也得到一定优化
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