长寿命阴极及其寿命预估

来源 :中国电子学会真空电子学分会第十七届学术年会暨军用微波管研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:allen_liliang
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本文介绍了长寿命阴极应具备的条件,给出了具体的结构设计。对长寿命阴极的寿命试验及寿命预估方法进行了论述,最后给出了寿命试验的结果。
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本文对具有模式选择特性的损耗陶瓷周期加载的Ka波段TE01模回旋行波管放大器进行理论建模和稳定性分析。结果表明,损耗陶瓷加载波导具有模式选择特性,其传输特性类似于光滑圆波导;稳定性分析揭示了互作用系统自激振荡的内反馈机制。将理论分析与美国海军实验室的实验工作进行了比较,证明了本文理论模型的可靠性。该成果对国内当前正在发展的回旋行波管放大器具指导意义。
在场发射器件中,比如场发射显示器件,阴极的跌落是一个影响器件寿命的关键因素,而阴极在工作过程中受到的离子轰击可能导致阴极的跌落。本文研究了离子轰击对纳米氧化锌阴极的影响。实验表明,离子轰击对纳米氧化锌阴极场发射特性有严重的影响,特别是在开启场强、阈值场强和场发射电流密度等方面。离子轰击对纳米氧化锌阴极场发射特性的影响主要是由于氧化锌阴极的功函数的增加和场增强因子的减小造成的。氧化锌阴极离子轰击特性
该项目采用周期永磁聚焦,液冷,一级降压收集极,波导输入输出方式。该项目难度大,我们采用了CAD优化设计,结合我厂特有的采用吸收小腔抑制振荡的方法,使得该产品具有频带宽、增益高、效率高、工作比大、功率大、增益波动小、工作稳定可靠等特点。
在大功率栅控脉冲行波管中,由于较大栅放而影响产品质量时有发生,采用栅网表面涂覆铪膜是解决栅放问题的有效途径。本文采用磁控溅射沉积方法在钼栅网上制备铪膜;研究了影响铪膜层质量的工艺因素(工作气压、膜料的沉积速率以及钼栅网的电位和温度等)。通过实验得到了优化的沉积工艺参数;推荐磁控溅射1~2um铪膜的优化工艺为:选用氩气作为工作气体,基片与靶材之间的距离为5cm的条件下,其溅射电流3A、电压300V,
本文通过对实验过程中炸裂的S波段盒型输出窗观察和X射线光电子能谱(XPS)检测,结合软件对窗内电场分布模拟,探讨高平均功率输出窗电击穿的物理原因。结果表明,窗片表面沉积的有机物含量越高,窗体发生炸裂时的平均输出功率越低。窗表面的有机污染物可能降低陶瓷窗的耐受电压和平均功率承受能力。
由于PIC粒子模拟方法是直接求解麦克斯韦方程组及洛伦兹方程,因而能较为精确地预测微波器件工作特性。本文用PIC软件对S波段100MW速调管的注-波互作用系统进行了计算,并给出了模拟方法。模拟结果表明,速调管可在工作电压415kV,工作频率2856MHz时,产生大于100MW的峰值功率,注-波互作用效率大于45%,增益大于52dB。
本文通过对L波段双间隙输出腔中振荡模式的场形分析,设计了双间隙外负载腔,实现了使用一个负载腔对输出腔中多个自激模式同时加载,使输出腔整体结构更加紧凑。
本文基于速调管的注波互作用的物理机制,采用FDTD方法求解麦克斯韦方程组获得准确的电子注空间电荷场,采用等效电路模型来模拟高频谐振腔的影响。基于该模型开发出了2.5维粒子模拟程序,KLY2D。采用KLY2D对中国科学院电子学研究所研制的一支S波段高峰值功率速调管进行了分析计算。计算结果与实验数据较好的一致性说明了理论模型和程序的可靠性。
本文通过对电子注与横向高频磁场相互作用模型的建立,讨论了能发生严重自激的高次模式磁场对电子光学系统的影响并,并通过电磁场仿真软件的模拟得到了与计算结果一致的结果。结果表明,当高次模式严重自激时,电子注在横向的高频磁场作用下会发生明显偏移。
本文介绍了某L波段脉冲磁控管设计,在谐振腔的设计过程中,从特征阻抗出发计算出谐振腔直径,进而进行了隔模带电容的核算,最后根据实际情况调整磁控管的工作点,使产品满足了整机的使用要求。