晶体硅太阳电池的SiNz∶H/热氧化SiO2双层结构的表面钝化特性研究

来源 :第十届中国太阳能光伏会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jackyzero123
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为了提高晶体硅太阳电池的光电转换效率,研究了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的SiNx∶H以及热氧化SiO2的双层表面钝化及减反射薄膜对电池性能的影响,并与单层的PECVD SiNx∶H薄膜进行了对比。研究结果表明这两种方法都对P型晶体硅基片以及n+发射极都具有较好的钝化效果,但是双层结构不仅具有较好的表面钝化效果,而且在经过短时的高温氧化工艺之后,还能够保持晶体硅材料的高的体寿命值(>20μs),从而获得较高的转换效率。
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