快速热处理对快中子辐照掺氮直拉硅中氧沉淀的影响

来源 :第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hubai123
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采用500 MeV不同剂量的快中子辐照掺氮直拉硅(NCZ-Si,Nitrogen-doped Czochralski Silicon),研究了不同快速热处理(RTP,Rapid Thermal Processing)温度和降温速率对快中子辐照NCZ-Si中氧沉淀及其诱生缺陷的影响。样品经过不同温度和降温速率的RTP处理后,再经过1100 ℃/20 h常规退火,以形成氧沉淀。实验结果表明:高温RTP处理后,快中子辐照掺氮单晶硅中间隙氧含量上升,而且辐照剂量越大,间隙氧含量上升也多;快速热处理有助于后期退火中清洁区(DZ,Denuded Zone)的生成,预处理温度越高,形成的DZ越宽;快速热处理的降温速率影响氮氧复合体的生成,高的降温速率有助于氮氧复合体的生成,同时会降低DZ的宽度。
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