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实验研究了不同氨气比例条件下碳纳米管的生长情况，利用介质阻挡放电(DBD)等离子体化学气相沉积技术，在蒸镀有13 nm Ni催化剂层的Si基材上，以CH4为碳源，以H2与NH3为刻蚀和稀释气体，在630℃和750℃的不同温度条件下合成碳纳米管．经SEM和TEM测试发现，所合成的碳纳米管具有竹节型结构，Ni催化剂形貌表明碳纳米管生长符合顶端机制．氨气含量对碳纳米管的生长影响较大，合成碳纳米管的最佳氨气浓度区间为1％～3％，高于8％则基本没有碳管生成，原因是含N基团的刻蚀速率远大于碳管的生成速率．