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硅基发光器件在半导体光电集成和光通信等领域具有广泛的应用前景。近年来，Er3+掺杂的MOS结构发光器件(MOSLED)因其较高的发光效率而受到广泛关注。Er掺杂的纳米硅氧化物中，受激发的硅纳米可以有效地将能量传递给Er3+离子，从而增强Er3+离子的1.5μm红外光致发光。在不同的薄膜材料中，虽然P、B掺杂可以显著影响纳米硅微晶的光致发光特性，但是其对Er3+离子电致发光的影响却未见报道。本文通过研究Er，Si，B共掺杂的MOS电致发光器件的发光光谱，分析了离子注入剂量对薄膜中的缺陷和微晶的形成以及载流子传导特性的影响，研究了缺陷以及纳米硅微晶对Er3+离子电致发光的影响。