【摘 要】
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基于氧化SOI基SiGe过程中硅被选择性氧化，而锗被排斥浓缩在氧化层之间，制备出不同组份SGOI和超薄GOI材料，优化设计了氧化和退火过程，对锗浓缩法形成的SGOI(GOI)材料结构、锗
【机 构】
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厦门大学物理系半导体光子学研究中心,福建厦门 361005
【出 处】
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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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基于氧化SOI基SiGe过程中硅被选择性氧化，而锗被排斥浓缩在氧化层之间，制备出不同组份SGOI和超薄GOI材料，优化设计了氧化和退火过程，对锗浓缩法形成的SGOI(GOI)材料结构、锗组份、应变、表面形貌等参数演化进行了系统的表征。结果表明，制备的SGOI材料具有较好的结晶质量、锗组份可控、表面平整等特点，其应变的变化仍遵从SiGe临界厚度的限制。获得了11nm厚的高质量超薄GOI材料，在微电子和光电子集成器件领域将具有广阔的应用前景。
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