同质非有意掺杂4H-SiC外延研究

来源 :第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sendan

【摘要】

：

采用低压化学气相淀积(LPCVD)方法，在偏向晶向8°N型4H-SiC(0001)Si面衬底上水平热壁反应室进行同质外延生长。SEM扫描发现晶片并没有很明显的表面缺陷，C-V法测试出来的结果发现其无意掺杂的外延层为N型，其浓度为1.2×1015cm-3。对其无意掺杂的晶片进行初步分析，其厚度的均匀度都≤2％。

【作者】

：

韩征张玉明张义门王悦湖贾仁需

【机构】

：

西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071

【出处】

：

第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

【发表日期】

：

2007年10期

【关键词】

：

碳化硅半导体掺杂技术同质外延表面分析

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　　采用低压化学气相淀积(LPCVD)方法，在偏向<1120>晶向8°N型4H-SiC(0001)Si面衬底上水平热壁反应室进行同质外延生长。SEM扫描发现晶片并没有很明显的表面缺陷，C-V法测试出来的结果发现其无意掺杂的外延层为N型，其浓度为1.2×1015cm-3。对其无意掺杂的晶片进行初步分析，其厚度的均匀度都≤2％。

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