【摘 要】
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第三代半导体材料即禁带宽度大于2.2eV的宽禁带半导体材料,以禁带宽度增大的顺序,主要包括SiC(3.2eV)、ZnO(3.32eV)、GaN(3.45eV)、金刚石(5.45eV)、AlN(6.20eV)等。目前SiC和GaN的研究相对较为成熟。这两种材料在高温、高频大功率器件和短波长光电子器件方面很有潜力,是目前半导体材料和器件研究领域的热点。本文主要阐述了GaN材料及其异质结在生长方法、材料
【机 构】
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西安电子科技大学,宽禁带半导体材料和器件重点实验室
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第三代半导体材料即禁带宽度大于2.2eV的宽禁带半导体材料,以禁带宽度增大的顺序,主要包括SiC(3.2eV)、ZnO(3.32eV)、GaN(3.45eV)、金刚石(5.45eV)、AlN(6.20eV)等。目前SiC和GaN的研究相对较为成熟。这两种材料在高温、高频大功率器件和短波长光电子器件方面很有潜力,是目前半导体材料和器件研究领域的热点。本文主要阐述了GaN材料及其异质结在生长方法、材料质量和电学特性等研究进展，尤其关注可靠性方面的主要问题。
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