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本文针对所研制GaInP/(In)GaAs/Ge 三结叠层太阳电池光电流较低的问题，分别对底电池、中电池和顶电池进行了理论分析与设计。Ge 底电池窗口层设计的改进、(In)GaAs 中电池适合含量In 的引入、GaInP 顶电池n/p 结构设计改进，以及宽禁带隧穿结材料的选用，使得电池短路电流密度Jsc 显著提高，达到16.5～17.5mA/cm2，GaInP/(In)GaAs/Ge三结叠层太阳电池光电转换效率由此达到27.3﹪（AM0，25℃）。