【摘 要】
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北京大学丁富荣等编著的《辐射物理》一书在讨论光电效应的段落中,给出了铅的光电截面在K、L、M壳层吸收限附近的变化情况,K壳层的吸收限为88.3keV,L层有三个吸收限:L3吸收限
【机 构】
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中国电子科技集团公司第三研究所,通信地址：北京市牡丹园东小关街29号院 100191
【出 处】
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中国物理学会2012年秋季学术会议
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北京大学丁富荣等编著的《辐射物理》一书在讨论光电效应的段落中,给出了铅的光电截面在K、L、M壳层吸收限附近的变化情况,K壳层的吸收限为88.3keV,L层有三个吸收限:L3吸收限为13.06keV,L2吸收限为15.26keV,L1吸收限为15.91keV.而L、M层电子能级存在子壳层结构,各子壳层能级稍有差异,因而光电截面在L吸收限和M吸收限附近存在着精细结构.
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