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用国产六面顶压机在5.0GPa，1300℃～1800℃条件下实现了以Y2O3为烧结助剂的A1N陶瓷体的高压烧结。用XRD对A1N高压烧结体的相组成进行了表征。研究表明：高压制备陶瓷体材料能够有效降低烧结温度和缩短烧结时间，可比传统烧结方法降低400℃以上。Y2O3是A1N有效的低温烧结助剂，在1300℃、1400℃烧结的A1N陶瓷体材料第二相物质以YAlO3和Y4Al209为主。当烧结温度高于1600℃，AlN陶瓷的第二相物质主要以Y3Al5O12为主。烧结条件为5.0GPa/1700℃/75min，样品的热导率可达135W/(m·K)。