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高分辨高纯Ge探测器由高纯Ge制成。P型，净杂质浓度为4×10[**]/cm，绘向〈113〉，位错密度近似10/cm。N型接触是在真空中蒸发和扩散Li，扩散温度310℃，10分钟，用此法形成的P—N结，性能良好。P型接触是将硼离子注入腐蚀的新鲜表面上，硼离子能量20Kev，剂量10[**]/cm，这比在表面上蒸发Pd形成的面垒要牢靠。两边的接触做好后，片子形成一定的形状，用HF和HNO[*v3*]的混合液（1∶3）清洗表面，轻轻腐蚀后用去离子水淬火冲洗，氮气吹干，装入由分子筛吸气的真空室中。该探测器在室温贮存1056小时和温度循环15次后，在液氮温度下，仍有较高的能量分辨率，对[**]Fe（5．9Kev）和[**]Am（59．5Kev）半宽度分别为169．1ev和408ev。（王太和摘）