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测量了淀积在三种不同的牺牲层材料(热氧SiO2、LPCVD SiO2、LPCVD PSG)上LPCVD氦化硅薄膜的应力,结果表明,不同牺牲层上淀积的氮化硅薄膜残余应力存在较大的差异。从多方面分析了残余应力差异产生的原因,实验得到的结果为器件的设计提供了更准确的依据。
不同牺牲层材料上LPCVD氮化硅薄膜内应力的测试与研究
【摘 要】
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测量了淀积在三种不同的牺牲层材料(热氧SiO2、LPCVD SiO2、LPCVD PSG)上LPCVD氦化硅薄膜的应力,结果表明,不同牺牲层上淀积的氮化硅薄膜残余应力存在较大的差异。从多方面分
【机 构】
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北京大学微米/纳米加工技术国家重点实验室
【发表日期】
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2005年期
【基金项目】
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北京大学校长基金资助项目
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