电化学侵蚀条件对多孔硅理化性质影响的实验研究

来源 :第十一次全国电化学会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liond1803
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本文采用荧光光谱仪和原子力显微镜测量了多孔硅的理化性质,得到了初步研究结果.
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