【摘 要】
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研究了通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长的AlN外延层。通过改变生长室压强，发现降低压强对提高AlN外延效率有显著的效果，因而采用了50torr的低压生长。通过对蓝宝石衬底的不同时间的氮化研究，发现7分钟的氮化时间对应于更好的AlN外延层结晶质量，但是氮化过程导致了表面较大的粗糙度。通过进一步结合缓冲层技术和更高的生长温度，获得了高质量的AlN外延层，表面非常平整，粗糙度仅0.11nm
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,北京市海淀区清华东路甲35号,100083
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研究了通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长的AlN外延层。通过改变生长室压强，发现降低压强对提高AlN外延效率有显著的效果，因而采用了50torr的低压生长。通过对蓝宝石衬底的不同时间的氮化研究，发现7分钟的氮化时间对应于更好的AlN外延层结晶质量，但是氮化过程导致了表面较大的粗糙度。通过进一步结合缓冲层技术和更高的生长温度，获得了高质量的AlN外延层，表面非常平整，粗糙度仅0.11nm，HRXRD(002)和(102)摇摆曲线半高宽分别仅53.7s和625s，结晶质量非常高。
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