【摘 要】
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以ITO导电玻璃为基片,采用sol-gel法制备Ni掺杂ZnO薄膜(NZO),并对其I-V特性、转换电压分布、保持特性和阻变机理进行分析探讨.NZO薄膜器件具有典型的双极性阻变特性,开关
【机 构】
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华南理工大学,广东广州510640
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以ITO导电玻璃为基片,采用sol-gel法制备Ni掺杂ZnO薄膜(NZO),并对其I-V特性、转换电压分布、保持特性和阻变机理进行分析探讨.NZO薄膜器件具有典型的双极性阻变特性,开关比Roff /Ron高达104～105,并呈现出较为良好的循环稳定性.Ni掺杂对低阻态(LRS)影响不大,但加剧了高阻态(HRS)的分散性.Ni掺杂量增加显著改善了转换电压VSET的弥散性.氧空位导电细丝的形成与断裂是产生阻变特性的重要原因,其LRS和HRS的阻变机理分别符合欧姆定律和空间电荷限制传导理论.
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