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常压烧结ＳｉＣ陶瓷在１３７３Ｋ～１７９０Ｋ的温度范围内利用Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ金属箔进行了扩散接合。分析了金属和陶瓷的界面反应及组织结构。ＳｉＣ／Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ系的反应层厚度按菲克定理成长，其成长的活化能分别为２５１、２７２、３５９和２６６ＫＪ／ｍｏｌ，ＳｉＣ／Ｔｉ／ＳｉＣ接头的拉剪强度在９７３Ｋ的试验温度下稳定在２７０ＭＰａ以上。