【摘 要】
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引言磁控放电技术广泛地应用于薄膜沉积领域中,其一般施加几百高斯的磁场约束电子进而提高等离子体密度.传统的直流磁控等离子体因只能溅射金属靶材在许多领域中受到限制,射频磁控放电技术则有效地改善了这一弊端.近些年来,随着薄膜材料日新月异地发展以及半导体材料薄膜的大量需求,反应性气体如O2,C12等作为工艺气体得到了广泛地关注.因此,针对射频磁控Ar/O2混合等离子体的模拟工作显得尤其必要.
【机 构】
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大连理工大学物理与光电工程学院,大连
【出 处】
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第十六届全国等离子体科学技术会议暨第一届全国等离子体医学研讨会
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引言磁控放电技术广泛地应用于薄膜沉积领域中,其一般施加几百高斯的磁场约束电子进而提高等离子体密度.传统的直流磁控等离子体因只能溅射金属靶材在许多领域中受到限制,射频磁控放电技术则有效地改善了这一弊端.近些年来,随着薄膜材料日新月异地发展以及半导体材料薄膜的大量需求,反应性气体如O2,C12等作为工艺气体得到了广泛地关注.因此,针对射频磁控Ar/O2混合等离子体的模拟工作显得尤其必要.
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