【摘 要】
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采用无机盐料浆法在K4104镍基高温合金表面制备Al-Si涂层.改变粘结剂CrO3的添加量得到了3种不同成分的Al-Si涂层.用静态氧化增重法对3种Al-Si涂层1000℃×200h的抗高温氧化性能进行研究,及用Sirion扫描电镜(带能谱分析)对涂层氧化不同时间后的表面形貌和截面组织形态进行观察及分析.研究结果表明,3种A1-Si涂层在1000℃×200h均具有较好的抗高温氧化性能;添加少量Cr
【机 构】
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江西科技师范学院,江西省材料表面工程重点实验室,江西,南昌,330013 哈尔滨工程大学,机电学院
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采用无机盐料浆法在K4104镍基高温合金表面制备Al-Si涂层.改变粘结剂CrO3的添加量得到了3种不同成分的Al-Si涂层.用静态氧化增重法对3种Al-Si涂层1000℃×200h的抗高温氧化性能进行研究,及用Sirion扫描电镜(带能谱分析)对涂层氧化不同时间后的表面形貌和截面组织形态进行观察及分析.研究结果表明,3种A1-Si涂层在1000℃×200h均具有较好的抗高温氧化性能;添加少量CrO3的A1-Si涂层具有最佳的抗高温氧化性,其生成稳定的α-A12O3氧化膜所需的时间最短,且氧化膜最致密.其在内层形成的富Si"隔层"有利于阻止Al元素和合金元素的互扩散.
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对具有六角相Th2Ni17型及菱方相Th2Zn17型结构的R2Fe17化合物,给出了一种测量稀土磁矩及铁次晶格磁矩的方法,利用这种方法给出了4.5K及300K下Sm2TiFe16化合物中的Sm次晶格的磁矩为0.76及0.22μB,Fe次晶格的磁矩为30.17及24.23μB,进而可以得到4.5及300K下Sm的磁矩值约为0.38及0.11μB。
采用原位分散聚合法制备聚甲基丙烯酸甲酯-羰基铁复合粒子,考察了粒子粒径、形貌及其磁流变液的沉降稳定性、流变学性能、摩擦学性能.结果表明,复合粒子平均粒径为9μm,密度为1.49g/ml,呈近似球形;复合粒子磁流变液的沉降稳定性得到了改善,流变学性能有一定的降低;由于粒子的表面性质改变,复合粒子的摩擦学性能较单纯羰基铁粒子优越.
用化学沉淀法制备铁酸钴(CoFe2O4)磁性颗粒,XRD对磁性颗粒的物相进行了分析;利用酸蚀法制备稳定的铁酸钴(CoFe2O4)磁性液体,振动磁场测定仪测定了磁性液体的饱和磁化强度.结果表明磁性颗粒是标准的铁酸钴(CoFe2O4)纳米级磁性颗粒,化学共沉淀法制备出的铁酸钴颗粒平均粒径大小约4.80nm.通过酸蚀法制备出稳定的水基磁性液体,其饱和磁化强度为2.6524T.
通过化学共沉淀法制备了Fe3O4铁氧体磁性纳米颗粒,系统研究了反应物的pH值、Fe3+与Fe2+配比及阳离子浓度等工艺参数对颗粒物相、粒度及磁性能的影响.结果表明,在合适的工艺参数下,通过该方法可以获得粒度分布均匀、直径为12m左右的Fe3O4纳米颗粒.制备了水基Fe3O4铁氧体磁流体,研究了载液pH值、表面活性剂包覆等对磁流体分散性及稳定性的影响以及纳米颗粒与表面活性剂之间的结合.研究表明,在本
采用化学自组装法制备了FePt纳米颗粒薄膜,然后在450～650℃真空退火.利用X射线衍射仪(XRD)和振动样品磁强计(VSM)对FePt磁性薄膜的结构和磁性进行了研究.结果表明,当热处理温度Ta高于500℃时,FePt纳米颗粒膜开始出现有序相.随着退火温度Ta的增加,FePt薄膜的有序相的含量逐渐增大.当退火温度Ta为600℃时,FePt薄膜的有序度S为0.7,相应的矫顽力为0.55T.
Cu,Ag离子以不同的剂量比在室温条件下注入到高纯非晶二氧化硅玻璃,透射电镜明场像和相应的选区电子衍射花样证明了该样品中形成了Cu,Ag金属纳米颗粒,从室温下样品光学吸收谱可以观察到Ag的吸收峰,但观察不到明显Cu的吸收峰.把样品在还原-保护气氛下常规退火,发现Ag在600℃常规退火又会从衬底表面蒸发,故对样品进行了900℃快速热退火,这时可以看出明显的Cu表面等离子体共振吸收峰.用红外谱仪表征样
采用氨水、双氧水和磷酸氢二铵溶液作沉淀剂,通过共沉淀法制备出Y(P,V)O4∶Tm3+荧光粉,利用XRD、SEM、紫外以及真空紫外激发下的发射光谱对其进行研究.结果表明:共沉淀法制备的Y(P,V)O4∶Tm3+荧光粉的颗粒形貌好,在147nm真空紫外光和254nm紫外光激发下,荧光粉发射主峰位于476nm,色坐标范围为:0.167≤x≤0.200,0.146≤y≤0.183.从这些结果来看,Y(P
以Bi(NO3)3·5H2O和Ti(OC4H9)4为原料,NaOH为矿化剂,聚乙二醇(PEG)为模板剂,采用水热法成功制备了形貌规则的Bi4Ti3O12片状纳米粉体.利用X射线衍射、X射线荧光光谱、扫描电子显微镜研究产物的物相、组成和显微结构特征,利用分子荧光光谱仪研究产物的光致发光特性.结果表明水热合成的片状Bi4Ti3O12纳米粉体为正交相钙钛矿结构,尺寸大约200nm,厚度10～20nm.室
用磁控溅射法制备了NiFe/PtMn双层膜,研究了在界面加入少量的Cr对交换偏置场的影响.结果发现:在Pt成分较高时,界面加Cr对反铁磁层为临界厚度时的交换偏置场影响最大,增大了1.5倍,达到了最大值.XRD结果表明加入Cr插入层使反铁磁层具有更好的织构.同时界面加Cr减小了PtMn的临界厚度。
采用化学气相沉积(CVD)法,以甩涂在Si(111)衬底上的Ga2O3薄膜和NH3作为原料,在无催化荆条件下成功制备出GaN纳米线.采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、能量散射谱(EDS)仪和高分辨透射电镜(HRTEM)对样品进行了成分和结构分析,并讨论了其生长机理.结果表明:生成的GaN纳米线平直光滑,直径在30～80nm内,长度可达几十微米,纳米线为六方纤锌矿结构的GaN