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本文介绍了一种高速CMOS模拟开关的研制,在TTL电平转换上采用两个支路同时工作,独特的衬底偏置设计保证开关的高速性能,在工艺上采用SI栅自对准CMOS工艺,研制的开关的导通和关断时间小于50ns.
一种高速CMOS模拟开关的研制
【摘 要】
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本文介绍了一种高速CMOS模拟开关的研制,在TTL电平转换上采用两个支路同时工作,独特的衬底偏置设计保证开关的高速性能,在工艺上采用SI栅自对准CMOS工艺,研制的开关的导通和
【机 构】
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信息产业部电子24研究所,模拟集成电路国家重点实验室,重庆,400060
【出 处】
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中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会
【发表日期】
：
2002年期
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