【摘 要】
:
该文介绍了高灵敏度接收前端在电子战信息系统中占有的重要地位.采用宽带高温超导-半导体高灵敏度接收前端是把低插损的超导滤波器与低温低噪声放大器进行集成,从而提高接收机的接收灵敏度.文中阐述了高灵敏度接收前端的基本原理,计算了高灵敏度接收前端系统噪声系数,分析了减小高灵敏度接收前端噪声系数的几种方法.
【机 构】
:
中国电子科技集团公司第16研究所,合肥,230043
【出 处】
:
第九届全国超导薄膜和超导电子器件学术会议
论文部分内容阅读
该文介绍了高灵敏度接收前端在电子战信息系统中占有的重要地位.采用宽带高温超导-半导体高灵敏度接收前端是把低插损的超导滤波器与低温低噪声放大器进行集成,从而提高接收机的接收灵敏度.文中阐述了高灵敏度接收前端的基本原理,计算了高灵敏度接收前端系统噪声系数,分析了减小高灵敏度接收前端噪声系数的几种方法.
其他文献
本文从显示屏用发光二极管应用中遇到的一些问题,简单介绍影响LED可靠性的因素及应用设计中应考虑的相关因素.
利用CCS-MOCVD系统在不同条件下生长了两样品InGaN/GaN MQW蓝光LED外延片,并对两样品从外延片至制成的LED管芯及封装成器件作了测试和分析,发现样品B的性能(正向电压、光强、反向漏电流、波长均匀性、FWHM等)好于样品A.
本文主要介绍了利用GaN基/SiC,发射波长在395-400nm范围内的紫光LED作为基础光源,通过荧光粉转换方法制备白光LED.对自制荧光粉作了简要介绍,对荧光粉与紫外光LED优化匹配制成的白光LED的主要参数进行了测量,给出测量结果.
940nmGaAs红外大功率发光二极管不论在军事上还是民用方面都有着广泛的应用,主要用在测距、定向、夜视、空间通讯等方面.国内早期采用的材料均为液相外延生长的方法制造的,其工艺复杂,周期长,效率低、性能一致性差,难以满足目前急速增长的市场需要.我们研制的940nmGaAs红外大功率发光二极管,采用MOCVD的生长方法制作材料,生长的材料均匀性好、效率高,优化器件工艺,采用网格电极使电流分配均匀,大
山东华光光电子有限公司以国家计委产业化前期关键技术项目为依托,将650nm半导体激光器迅速实现了规模化生产.日产650nm量子阱激光芯片20万只,打破了原有芯片从台湾、美日进口的局面,成为国内最大的650nmLD芯片供应商,国内市场占有率30﹪以上.650nm应变量子阱脊形波导产品具有阈值低,输出功率高的特点,典型阈值电流8~12mA,40mA工作电流下峰值功率达到25~35mW,外量子效率达到0
我们合成了YAG荧光粉、绿光荧光粉和红光荧光粉,利用蓝光GaN芯片制备了蓝/黄二基色白光LED、蓝/黄/红白光LED和蓝/绿/红三基色白光LED.在20mA直流电驱动下,红色荧光粉的加入可以提高白光的显色指数.随着电流的增加,它们的相关色温趋向升高,显色指数下降.
综述了上海蓝光科技有限公司在氮化镓蓝、绿光发光二极管制备产业化方面的进展.经过研发和技术改进,解决了外延片内波长均匀性问题,同时外延生长的均匀性、重复性以及芯片加工的稳定性也得到较大的提高.寿命试验表明新的产品各项性能稳定.
本文提出了一种简单易行,适用性较强的监测方法-加载渗透监测法.该法不仅适用于一般结构疲劳试验对表面裂纹扩展进行监测,而且适用于对运动中加载的较复杂结构表面裂纹扩展进行监测,只要不影响操作.
本文分析了耦合微带线奇、偶模电容,1/4波长微带定向耦合器的设计,以及通过锯齿化改善定向耦合器的方向性.最后给出了基于超导薄膜的定向耦合器实验结果.
介绍一种利用YBCO高温超导薄膜随温度的变化电阻急剧改变的特性研制出的高温超导薄膜辐射探测器,该探测器采用脉冲恒压电源驱动.用于某加速器高功率Z箍缩等离子体软X射线能量的测量试验.