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量子级联激光器对光子能量的剪裁是有一定限度的,在高能端,主要是受两种半导体材料的导带不连续量决定.因此要使该类激光器的工作波长在4.3μm以下,必须采用应变补偿的方法来提高InGaAs/InAlAs材料体系的导带不连续.本文介绍了量子级联激光器的结构,器件性能.
应变补偿InGaAs/InAlAs量子级联激光器
【摘 要】
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量子级联激光器对光子能量的剪裁是有一定限度的,在高能端,主要是受两种半导体材料的导带不连续量决定.因此要使该类激光器的工作波长在4.3μm以下,必须采用应变补偿的方法来
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室
【出 处】
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第六届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
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2001年期
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