【摘 要】
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感应耦合等离子体源(Inductively Coupled Plasmas,ICP)可在低气压(1-50 mTorr)下产生高密度的等离子体(＞1011 cm-3),己被广泛应用于芯片加工工艺当中.此外,在磁约束核聚变中,ICP源也被选择作为中性束注入系统的离子源.我们所模拟的ICP源的放电腔室是一个柱状结构.圆柱内充满氢气.圆柱的上底面和下底面是由金属构成,而侧壁是由石英构成.
【机 构】
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大连理工大学物理与光电工程学院,大连
【出 处】
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第十六届全国等离子体科学技术会议暨第一届全国等离子体医学研讨会
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感应耦合等离子体源(Inductively Coupled Plasmas,ICP)可在低气压(1-50 mTorr)下产生高密度的等离子体(＞1011 cm-3),己被广泛应用于芯片加工工艺当中.此外,在磁约束核聚变中,ICP源也被选择作为中性束注入系统的离子源.我们所模拟的ICP源的放电腔室是一个柱状结构.圆柱内充满氢气.圆柱的上底面和下底面是由金属构成,而侧壁是由石英构成.
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