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本文采用多尺度耦合计算方法模拟研究了微米长度(5，5)开口单壁碳纳米管阵列的发射情况。我们发现，当碳管间距小于碳管长度时，施加在管阵上的电场遭到严重屏蔽，最佳的碳管间距大概等于2～3倍的碳管长度，具体的数值则还跟外加电场有关。碳管间的这种屏蔽效应可以用一个屏蔽因子来描述，该屏蔽因子是碳管间距与碳管长度比值的指数衰减函数。我们的模拟结果表明，管阵的厚度应该大于某一数值，但是过度地增加厚度并不能显著地改善碳纳米管阵列的发射性能。