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硅纳米线工艺是制造纳米级围栅MOSFET的关键环节。研究了一种采用自上而下方案制造垂直硅纳米线的工艺技术。利用传统光刻技术，将圆形掩模图案转移到硅片表面；采用注入SF6和C4F8的感应耦合等离子体刻蚀工艺，制作垂直于衬底的微米级光滑硅柱；通过分步湿法氧化减薄，结合干法氧化减薄工艺，将硅柱直径缩减到亚50nm。该方案不需要昂贵的电子束光刻设备，并使硅柱直径的缩减速度大为提高，还有利于改善纳米线的垂直度和表面光滑度。