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通过大量工艺实验,镀制了改变脉冲真空电弧离子源电源参数(主回路电压,脉冲频率)、基片高度以及磁场等工艺参数的样品,选择了一种合适的膜厚测量仪器进行了膜厚分布测量,获得了离子源各种工艺参数对其发射特性影响的曲线.
脉冲真空电弧离子镀发射特性的测量
【摘 要】
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通过大量工艺实验,镀制了改变脉冲真空电弧离子源电源参数(主回路电压,脉冲频率)、基片高度以及磁场等工艺参数的样品,选择了一种合适的膜厚测量仪器进行了膜厚分布测量,获得
【机 构】
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西安交通大学电气工程学院(陕西西安)西安工业学院光电工程与科学系(陕西西安)
【出 处】
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第十一届全国薄膜学术交流会
【发表日期】
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2001年11期
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