【摘 要】
:
本文采用传统的固相反应法制备了Ba2Si2VO8 微波介质陶瓷,但在制备过程中获得了一种多相的复合陶瓷,此复合陶瓷的相对体密度、品质因数、相对介电常数、以及谐振频率温度系数呈现随温度升高而先升后降的变化趋势,此变化趋势可能与气孔率、晶粒大小以及各物相的相对含量等有关。
【机 构】
:
广西有色金属及特色材料加工省部共建国家重点实验室培育基地,材料科学与工程学院,桂林理工大学,桂林,541004
【出 处】
:
第十六届全国电介质物理、材料与应用学术会议
论文部分内容阅读
本文采用传统的固相反应法制备了Ba2Si2VO8 微波介质陶瓷,但在制备过程中获得了一种多相的复合陶瓷,此复合陶瓷的相对体密度、品质因数、相对介电常数、以及谐振频率温度系数呈现随温度升高而先升后降的变化趋势,此变化趋势可能与气孔率、晶粒大小以及各物相的相对含量等有关。
其他文献
本文采用凝胶溶胶法制备了1.5μm厚度的Pb(0.90-x)BaxLa0.10Zr0.90Ti0.10O3 反铁电厚膜,其Ba2+含量分别为x = 0,0.02,0.05,0.08 和0.11.系统的研究了Ba2+含量影响其介电性能、储能行为和电卡效应.
本文采用流延制备方法对不同厚度流延(Pb0.92Ba0.05La0.02)(Zr0.68Sn0.27Ti0.05)O3(PBLZST)反铁电厚膜介电性质和储能行为做了系统的研究.在研究中发现,随着PBLZST反铁电厚膜的厚度从40到80μm,相应的介电常数和饱和极化值逐渐增大如图1 a-b,然而对应厚膜的击穿强度(BDS)逐渐降低.
现代移动通讯技术高频化要求相应的微波介质陶瓷必须具有低的介电常数,探索新型低介低损材料对于现代移动通讯的发展具有极其重要的意义,本文以摩尔比为MgO∶B2O3=1∶1 的原料,通过固相反应法合成Mg2B2O5 陶瓷材料。
采用传统固相法制备的具有近零的谐振频率温度系数的Li2CO3-MgO-SnO2 陶瓷,XRD 的分析表明,1000℃ 烧结的陶瓷主相是Li4MgSn2O7,同时有微量Li2SnO3 第二相存在;随烧结温度升高,Li4MgSn2O7 相逐渐减少,Li2SnO3 相逐渐增强;1200℃ 烧结时,Li4MgSn2O7 相消失,同时观察到有Li2Mg3SnO6 第二相生成。
We report a facile method to significantly enhance the dielectric performance of reduced functionalized graphene-based polymer composites.
(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xCa(Mg1/3Ta2/3)O3(x=0.02,0.04,0.06,0.08,0.10,0.15,0.20)(abbreviated for KNN-xCMT)transparent relaxor ferroelectric lead-free ceramics are prepared by a normal solid-state sinterin
采用传统固相反应法制备了在室温下具有巨介电和低损耗性能的(Bi0.5Nb0.5)xTi1-xO2 陶瓷.(Bi0.5Nb0.5)xTi1-xO2(x=0.5%,1%,2.5%,5%)陶瓷形成了连续固溶体,结构呈金红石相.陶瓷的介电常数与平均晶粒尺寸均随掺杂量x 的增加而增大.
采用热压烧结法制备获得(K0.5Na0.5)NbO3 无铅压电陶瓷.获得的陶瓷结构致密,具有纯正交铁电相,平均晶粒尺寸约为120 纳米.室温下,陶瓷具有较高的介电常数(er=850)和较低的损耗(tand=0.02),陶瓷的电阻率R > 1011 W×cm,压电常数d33=120 pC/N,剩余极化强度Pr=17.3 μC/cm2(测试电压为100 kV/cm),矫顽场Ec=16 kV/cm(测试
采用传统的固相反应合成法成功地制备出MPB 附近组分为0.64PbIn0.5N0.5O3-0.36PbTi(1-x)MnxO3(Mn-PINT,x=0-0.15)的铁电陶瓷,生长了铁电单晶,并对其物相、结构和电学性能进行了分析.
本文采用固相合成法制备了Pr 掺杂(Ba0.99Ca0.01)(Ti0.98Zr0.02)O3(简称BCZT)的陶瓷,分别进行了A 位(BCZT-A),B 位(BCZT-B)掺杂以及外掺(BCZT-W),研究了不同方式掺杂对BCZT 无铅压电陶瓷结构、压电性能和发光特性的影响.