【摘 要】
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针对丝网印刷碳纳米管场发射阴极亮度低、发光均匀性差的问题,提出氧化锌掺杂的方法。通过将氧化锌颗粒和碳纳米管按比例配成浆料,丝网印刷成阴极样品,结果开启电场从2.2V/μm降低到1.17V/μm,在2.05V/μm场强下,同面积发射电流从185μA 上升到510μA。长时间测试发现电流波动小,加不同电压测试,重复性较好。场发射特性提高可能由于混合掺杂样品中氧化锌随机地填充在碳纳米管之间,提高了膜层导
【机 构】
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西安交通大学,电信学院,陕西,西安,710049
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针对丝网印刷碳纳米管场发射阴极亮度低、发光均匀性差的问题,提出氧化锌掺杂的方法。通过将氧化锌颗粒和碳纳米管按比例配成浆料,丝网印刷成阴极样品,结果开启电场从2.2V/μm降低到1.17V/μm,在2.05V/μm场强下,同面积发射电流从185μA 上升到510μA。长时间测试发现电流波动小,加不同电压测试,重复性较好。场发射特性提高可能由于混合掺杂样品中氧化锌随机地填充在碳纳米管之间,提高了膜层导电性；氧化锌热传导系数高,保护了大电流损坏CNT发射体；且氧化锌自身发光,增加了有效发射体密度。
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采用CVD方法,以金属镓和氨气为原料,在Si(111)衬底上成功制备了GaN薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)对样品进行了成分和形貌分析。结果表明,制备的GaN薄膜为六方纤锌矿结构薄膜.
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