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欣磊公司已成功研制开发了GaAlAs 850nm大功率红外LED芯片。本文针对GaAlAs850nm大功率红外外延片不同于940nm窗口型小功率红外外延片以及非窗口型小功率红外外延片的材料特征以及GaAlAs 850nm红外LED芯片在制造过程中存在的电极欧姆接触、表面(芯片)损伤，光功率衰减及其提高芯片光功率等问题进行分析阐述，并在实际制造中论证这些问题，所制造的GaAlAs850nm红外LED芯片现已能完全适用于民用产品上。