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受限高分子刷的横向对称性破缺
【机 构】
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北京交通大学理学院,北京市上园村3号,100044 中国科学院化学研究所,北京市中关村北一街2号,
【出 处】
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中国化学会2013年全国高分子学术论文报告会
【发表日期】
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2013年11期
其他文献
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The direct magnetoelectric effect resulting from polarizing changes induced in a ferroelectric film by the application of a magnetic field to a ferromagnetic substrate has been theoretically described