【摘 要】
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从二十世纪70年代起，多晶硅薄膜的压阻特性开始受到关注，并被用于研制力学量传感器。在随后二十年左右的时间里，多晶硅压阻理论得到了较为系统的研究。其主流的研究成果一直
【机 构】
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沈阳工业大学信息科学与工程学院,沈阳 110178
【出 处】
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2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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从二十世纪70年代起，多晶硅薄膜的压阻特性开始受到关注，并被用于研制力学量传感器。在随后二十年左右的时间里，多晶硅压阻理论得到了较为系统的研究。其主流的研究成果一直沿用至今，认为晶粒中性区和势垒区对多晶硅的压阻特性都有贡献，势垒区的压阻效应主要来源于热电子发射电流随应变而变化，应变因子大约是晶粒中性区的一半。通常晶粒随膜厚的减小而变小，晶粒越小势垒区所占的比例越大，因此，多晶硅薄膜的应变因子也应该随膜厚的减小而变小。
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