【摘 要】
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本文用第一性原理的方法研究了Fe|GaAs|Fe隧道结的隧穿磁电阻(TMR).研究表明,TMR对于界面的无序散射相当敏感,在考虑了界面无序的散射对电子输运的影响后,计算所得的TMR值与
【机 构】
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中国科学院物理研究所(北京);四川师范大学物理系(四川成都)中国科学院物理研究所(北京)
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本文用第一性原理的方法研究了Fe|GaAs|Fe隧道结的隧穿磁电阻(TMR).研究表明,TMR对于界面的无序散射相当敏感,在考虑了界面无序的散射对电子输运的影响后,计算所得的TMR值与试验值吻合得很好(~2﹪).研究表明:界面无序造成很低的TMR实验值的主要原因,而不是通常人们所认为的是界面处的自旋翻转的作用.
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