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介绍了以SnO<,2>为主,填加Al<,2>O<,3>,MgO,InO,Pd等填料的常温CO气敏元件的制备方法.根据其晶体结构特点对气敏机理进行了探讨.论述了传感器的信息传感机制,即晶界势垒控制和晶粒大学控制机制同时存在.为获得性能良好的气敏元件,需要最佳的制备方法和最好的填料.
二氧化锡气敏元件制备及气敏机理研究
【摘 要】
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介绍了以SnO为主,填加AlO,MgO,InO,Pd等填料的常温CO气敏元件的制备方法.根据其晶体结构特点对气敏机理进行了探讨.论述了传感器的信息传感机制,即晶界势垒控制和晶粒大学控
【机 构】
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中国科学院长春应用化学研究所
【出 处】
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第八届全国化学传感器学术交流会
【发表日期】
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2001年期
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