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二氧化钒薄膜的离子掺杂降低相变温度的研究进展
二氧化钒薄膜的离子掺杂降低相变温度的研究进展
来源 :广东省真空学会2010年年会暨广东省真空与低碳技术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:andywu2009
【摘 要】
:
二氧化钒(VO2)是一种备受人们关注低温热致相变材料,在68℃发生从低温半导体相向高温金属相的可逆相变。相变前后其光学和电学性能等发生巨大的变化,使其在光电开关,智能窗
【作 者】
:
王权康
叶勤
【机 构】
:
暨南大学物理系,广州510632
【出 处】
:
广东省真空学会2010年年会暨广东省真空与低碳技术交流会
【发表日期】
:
2010年期
【关键词】
:
二氧化钒薄膜
离子掺杂
低相变温度
低温半导体
研究进展
相变材料
可逆相变
光电开关
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二氧化钒(VO2)是一种备受人们关注低温热致相变材料,在68℃发生从低温半导体相向高温金属相的可逆相变。相变前后其光学和电学性能等发生巨大的变化,使其在光电开关,智能窗等方面有巨大的应用潜力,如何降低其相变温度成为了研究的热点。本文介绍了掺杂法改变二氧化钒相变温度的研究进展。
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