粗糙Ag岛膜增强氮化硅基器件的电致发光抽取效率

来源 :2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：killeverrui

【摘要】

：

本文制备了一种基于ITO/Ag/SiNxIp+-Si/Al结构的氮化硅(SiNx)基发光设备(LEDS，light emitting devices)以期增强SiNx薄膜电致发光。与没有加Ag岛膜的参比器件相比，加入Ag岛膜的器件在相同电流下电致发光强度得到了显著增强，其外量子效率也提升了近一个数量级。通过比较上述两种器件载流子输运机制，发光强度以及表面形貌的变化，我们认为其EL的增强来自于载流子

【作者】

：

王锋李东升阙端麟杨德仁

【机构】

：

浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,玉泉,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,玉,3

【出处】

：

2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会

【发表日期】

：

2011年11期

【关键词】

：

粗糙Ag岛膜氮化硅基器件电致发光抽取效率

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