在聚合物集成光学器件制备过程中，等离子体干法刻蚀制备光波导是一项关键工艺。本文针对聚合物脊形结构波导进行电感耦合等离子体(ICP)各向异性刻蚀的研究，研究了不同刻蚀参数(源功率、偏置功率、刻蚀腔室压强以及气体配比)下ICP刻蚀对脊形波导刻蚀速率影响(如图1所示)。文中利用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对刻蚀后样品侧壁及表面粗糙度进行分析，得到了低粗糙度的优化工艺条件。实验结果表明：ICP刻蚀聚合物材料各向异性较好，刻蚀侧壁陡直，刻蚀平面粗糙度小。在相同工艺气体条件下，刻蚀速率随着ICP源功率及偏置功率的增大而加快，随刻蚀腔室压强的增加而减慢；同时，样品表面粗糙度会随着偏置功率及刻蚀腔室压强的增加而逐渐增加。本文还探讨了O2和Ar两种气体不同组分对聚合物脊形结构波导刻蚀效果的影响，并最终得到了一种侧壁垂直度好、刻蚀表面粗糙度小和刻蚀速率较高的各向异性干法刻蚀工艺(图2所示)。本工作表明：ICP刻蚀适用于聚合物光波导的制备，对制备低损耗光开关器件有重要研究意义。