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采用在密闭钽管中直接熔炼的方法成功制备了Mg2Si0.59-xSbxSn0.41（x=0,0.005,0.0075,0.01）热电材料。XRD结果显示产物中包含少量富锡成分的第二相。分别测试了试样在室温至773K温区的塞贝克系数，电导率和热导率。并测试了室温时的霍尔系数，计算了载流子浓度，掺杂试样的载流子浓度在1019cm-3数量级，都处于热电材料最佳范围之内。对有效质量的计算表明：掺杂样品有效质量都大于基体，表明掺杂有效的调节了能带结构。所有掺杂样品中x=0.005的样品热电性能最佳，在693K无量纲热电优值达到最大值0.68，远高于基体试样在513K时最大ZT值0.09。