【摘 要】
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本文研究了ZnO微米棒的变温光谱和压力光谱.室温下ZnO的光致发光谱由位于3.0 eV处的UV带和位于2.4 eV处的绿光带组成.低温下UV带呈现多峰结构,由中性施主束缚激子发光,自由激
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文研究了ZnO微米棒的变温光谱和压力光谱.室温下ZnO的光致发光谱由位于3.0 eV处的UV带和位于2.4 eV处的绿光带组成.低温下UV带呈现多峰结构,由中性施主束缚激子发光,自由激子发光及其声子伴线组成.低温下在绿光带的高能端可以观察到精细结构.表明绿光带与ZnO中的Cu2+杂质有关.室温下UV带和绿光带都随压力的增加而兰移.UV带的压力系数与ZnO体材料带隙的压力系数很相近,而绿光带的压力系数比文献报道的结果大很多.
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