【摘 要】
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采用固态分子束外延技术在半绝缘GaAs(001)衬底上生长了AlSb/InAsSb结构的高电子迁移率晶体管(HEMTs)。生长中采用了新型挡板开关顺序,实验发现,室温下非有意掺杂的HEMT结构二维电子气迁移率可以达到16170 cm2/Vs,实验研究了生长温度对二维电子气迁移率的影响。实验发现,随着温度的升高,电子迁移率得到了极大的提高。
【机 构】
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Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academ y of
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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采用固态分子束外延技术在半绝缘GaAs(001)衬底上生长了AlSb/InAsSb结构的高电子迁移率晶体管(HEMTs)。生长中采用了新型挡板开关顺序,实验发现,室温下非有意掺杂的HEMT结构二维电子气迁移率可以达到16170 cm2/Vs,实验研究了生长温度对二维电子气迁移率的影响。实验发现,随着温度的升高,电子迁移率得到了极大的提高。
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本文优化设计了一种高频高饱和输出的单行载流子光电探测器(UTC-PD)。引入线性掺杂吸收区和窄InP崖层从而获得高频高饱和探测器。利用微电子工艺制备器件,并对其暗电流、光响应、接触电阻、低频电容和带宽进行了测试分析。结果显示,直径为15μm的探测器,在1V反偏电压下的暗电流为3.5nA。器件在1.55μm的入射光下的响应度为0.3A/W,零偏压下的饱和光强为135mW。3dB带宽为15GHz。
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为了进一步理解自开关器件的基本工作原理和电学特性，本文对自开关器件进行了器件和电学特性的模拟。通过对器件施加不同偏压，得到了沟道内部电势分布图，分析了器件的整流特性，从电势的角度解释了器件的工作原理。同时分析了不同器件表面参数对器件电流特性的影响：沟道宽度越大，开启电压越大，特定电压下的电流也越大：水平沟槽宽度越大，反向漏电流越大；而沟道的长宽比如果过小的话，会出现短沟道效应，影响器件的整流性能。
采用激光分子束外延技术，相同的实验条件下分别在Si(111)、sapphire (0006)和MgO(111)衬底上外延出极性纤锌矿结构AlN薄膜。XRDθ-2θ，Φ扫描和ω扫描结果显示(0002)AlN在六方的sapphire (0006)和立方MgO (111)衬底上为均外延生长，其关系为(0002)[11-20]AIN//(111)[0-11]Mgo、(0002)[11-20]AIN//(0
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