【摘 要】
：
系统论述了ITO作为OLED器件阳电极时,ITO各参数对OLED整体性能,如发光亮度、效率、寿命和稳定性的影响,并以溅射ITO工艺为例,分析了制备与处理环境对ITO的方阻、透过率、表面平整度及功函数的影响.针对其成因,提出了一些改进措施.对高性能平板显示OLED器件用透明导电阳极的研制具有一定的参考价值.
【机 构】
：
电子科技大学光电信息学院显示科学与技术重点实验室(成都)
论文部分内容阅读
系统论述了ITO作为OLED器件阳电极时,ITO各参数对OLED整体性能,如发光亮度、效率、寿命和稳定性的影响,并以溅射ITO工艺为例,分析了制备与处理环境对ITO的方阻、透过率、表面平整度及功函数的影响.针对其成因,提出了一些改进措施.对高性能平板显示OLED器件用透明导电阳极的研制具有一定的参考价值.
其他文献
将天然防腐剂蜂胶微乳化后和溶解在乙醇溶液中分别添加到培养基中接种大肠杆菌、金黄色葡萄球菌、志贺氏菌、伤寒杆菌、副伤寒杆菌、小肠结肠炎耶尔森氏菌、大肠埃希氏菌、枯草芽孢杆菌、啤酒酵母、黑曲霉等然后经过培养,观察细菌和真菌的生长情况,发现微乳化的蜂胶溶液比乙醇溶液对细菌的抑菌效果更好,而对酵母菌、霉菌的抑菌效果相同.为扩大蜂胶的应用领域提供了实验支持.
该研究以硝酸锌、硝酸铝为原料,氢氧化钠为沉淀剂,在N保护气氛下,采用恒定pH值法进行共沉淀合成锌铝层状复合氢氧化物[ZnAl-LDH(Layered Double Hydroxides,LDH)].以XRD分析确定其结构类型,通过DTA考察其热行为,用FESEM观察其形貌特征.探讨了合成ZnAl-LDH及其煅烧产物(Layered double Oxides,LDO)对污水处理性能的影响.结果表明
采用以醇盐水解法为基础的生长硅溶胶的方法,制备了300nm左右的单分散二氧化硅颗粒.以二氧化硅颗粒为核心,利用Al(NO)溶液注入二氧化硅颗粒与NaHCO的混合水溶液中发生水解沉淀反应,沉淀物在SiO核心颗粒上沉积的方法,制备得到Al(OH)/SiO复合颗粒.在证实注入进料方式有效性的同时,分析了各种反应条件对复合颗粒壳层微观形态和壳层厚度的影响,确定适宜的反应条件为:0.5M NaHCO浓度,2
“2004年中国票务防伪展示暨高峰论坛”是建国以来对中国市场票务制售假票状况及票务防伪工作进行系统总结的一次里程碑,也是政府部门、行业组织、票务单位、防伪技术企业参与市场、共同探讨票务防伪工作的一次盛会。在这里我们将共同见证假票的现状,一起听取专家意见,研究如何防范、打击制售假票者。我们相信,此次论坛将会为提高我国票务防伪水平,维护经营者、消费者利益及市场秩序,发挥积极作用。本文介绍了消费结构的变
采用丝网印刷、真空镀膜和阴极激活技术,我们研制出能显示视频图象的20英寸单色和彩色FED显示器样机,其亮度分别已达300cd/m和150cd/m,单色对比度已达400:1.文中详细讨论了阴极激活降低阴极表明逸出功进而增强阴极的电子发射能力的作用.
目前,以LCD、PDP、FED、OLED以及LCoS等为代表的平板显示器不断地走出实验室,步入市场,成为最有发展前途的显示器.它们各具优势,其显示原理也不尽相同;但它们的显示接口控制电路却是可以通用的,这样就促使了平板显示器接口电路通用IP核的诞生.本文阐述了平板显示器接口电路通用IP核研发的必要性,并介绍了SoC的概念及设计方法,最后探讨了平板显示器接口电路通用IP核的SoC实现方法.
本文介绍了一种平板显示器接口电路通用扫描时序控制器IP核,主要由时钟发生器和扫描控制器组成.时钟发生器采用直接数字频率合成(DDS)方法,根据配置寄存器的设定值,可以输出不同的频率的时钟.扫描控制器可以输出平板显示器所需要的行、场控制信号.并且介绍了基于FPGA的各单元电路的设计和实现方法.
晶体旋转法是测试液晶分子预倾角的常用方法,但是不适用于测试20°~60°之间的预倾角.为了达到扩展晶体旋转法预倾角测试仪的适用范围,本文提出一种棱镜辅助晶体旋转法预倾角测试方案的原理,并给出数值模拟结果.
场发射显示器(FED)被认为是平面显示器中最理想新一代器件,采用纳米结构的碳基薄膜材料为冷阴极使得开发实用化的FED成为可能.本文从碳纳米材料的制备装备、制备工艺、FED器件的结构和封装等方面进行了综述.同时报道了新近用多功能等离子体沉积和低压化学气相沉积方法制备的多壁纳米管/纤维复合薄膜为阴极材料,用普通玻璃为衬底,成功地研制出2-4英寸的高真空封装的FED原型器件,该显示器具有优异的场发射性能
本文采用金属诱导单一方向横向晶化法(MIUC)进行了多晶硅薄膜晶体管的研究.将薄膜晶体管有源岛制作在镍剩余量较低的横向晶化区;并采用优化的工艺流程,将镍剩余量较高的区域从器件中移出,从而获得高迁移率、高开关比、低域值电压的单栅结构多晶硅薄膜晶体管.以p型MILC poly-Si TFT为基础,采用两管象素单元电路,制备出象素数为160×RGB×120、开口率为46﹪的2.1英寸彩色OLED有源选址