【摘 要】
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采用自洽场离散变分X(SCC-DV-X)方法,研究纯VO理想晶体及掺杂Cr元素体系的电荷分布、态密度和能级结构，讨论了掺杂对电子结构与性能的影响。结果表明：纯VO理想晶体具有金属相性
【机 构】
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武汉工业大学材料科学与工程学院(武汉)材料复合新技术国家重点实验室(武汉)
【出 处】
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首届国际华厦无机固体化学和合成化学研讨会暨第七届全国无机固体化学和合成化学学术讨论会
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采用自洽场离散变分X<,α>(SCC-DV-X<,α>)方法,研究纯V<,2>O<,3>理想晶体及掺杂Cr元素体系的电荷分布、态密度和能级结构，讨论了掺杂对电子结构与性能的影响。结果表明：纯V<,2>O<,3>理想晶体具有金属相性质，掺杂Cr后晶体结构不变，电子结构发生了变化，材料具有了半导体的性质，这与实验结果相一致。
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