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六方氮化硼(h-BN)可有效隔绝基底/环境对二维过渡金属硫族化合物(TMDCs)的电子掺杂作用,从而使其表现出高的载流子迁移率及更加本征的物理性质.我们选择金箔为基底[1],利用低压化学气相沉积法(LPCVD),先在金箔上直接生长了满层覆盖的高质量h-BN,然后在h-BN/Au上直接生长了亚单层甚至是满层的MoS2.