V掺杂LiZnAs新型稀磁半导体的磁电特性研究

来源 :第十六届全国磁学和磁性材料会议暨第十七届全国微波磁学会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ICE867200WXM
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近年来,如何解决稀磁半导体中磁性和电性的捆绑效应,实现自旋和电荷的分别注入和调控,成为稀磁半导体材料设计和研制的重大挑战.而已有研究表明[1],新型的Li1+y(Zn1-xMnx)As稀磁半导体,通过调节Li的化学计量数和Mn的浓度,能够实现电荷和自旋的分别注入和调控.采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对新型稀磁半导体V掺杂LiZnAs体系进行了研究.
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会议
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会议
In many cases,the mechanism of resistive switching (RS) is believed to be the formation and partialdissolution of nanoscale conductive filaments (CFs) during the set and reset process in insulating ma
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会议