拓扑晶体绝缘体中In掺杂诱导超导的扫描隧道显微学研究

来源 :第十三届全国超导学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xlinda

【摘要】

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　　在拓扑绝缘体或拓扑晶体绝缘体中诱导超导电性被认为是一种构建拓扑超导体的重要手段.Pb0.5Sn0.5Te是一种拓扑晶体绝缘体，其受镜面对称性保护的(001)、(011)和(111)晶向的

【作者】

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杜冠;杜增义;方德龙;杨欢;闻海虎;

【机构】

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南京大学物理学院南京210093

【出处】

：

第十三届全国超导学术研讨会

【发表日期】

：

2015年期

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　　在拓扑绝缘体或拓扑晶体绝缘体中诱导超导电性被认为是一种构建拓扑超导体的重要手段.Pb0.5Sn0.5Te是一种拓扑晶体绝缘体，其受镜面对称性保护的(001)、(011)和(111)晶向的晶体表面有拓扑保护的表面态.通过In掺杂可以将Pb0.5Sn0.5Te材料诱导为超导体，这种超导体被认为有可能是一种拓扑超导体.为了探索In掺杂诱导的拓扑晶体绝缘体超导性质，我们对(Pb0.5Sn0.5)0.7In0.3Te材料的(001)晶向的表面进行了扫面隧道显微学研究.我们通过隧道谱的测量发现该材料具有U形的超导能隙，在能隙内没有由拓扑态引起的态密度，隧道谱可以很好地用各向异性的s波超导能隙方程进行拟合.我们证明该材料不是拓扑超导体.

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