【摘 要】
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氧化锌(ZnO)具有优异的光电性质，在液晶显示器、薄膜晶体管、发光二极管等方面具有潜在的应用前景。同时ZnO在适当的制备条件及掺杂下还会表现出较好的低阻特征，因此可用作电极材料。生长在各种基底上的ZnO薄膜性质受到薄膜微观组织结构的显著影响，通常外延生长薄膜比多晶薄膜具有更佳的性质。然而，当基体(如Si)与ZnO薄膜具有较大晶格错配时，无法实现外延生长。针对这个难题，本工作提出了无理取向基体上Zn
【机 构】
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辽宁省大连市大连理工大学材料科学与工程学院,邮编 116024
【出 处】
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第十二届全国固态相变、凝固及应用学术会议
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氧化锌(ZnO)具有优异的光电性质，在液晶显示器、薄膜晶体管、发光二极管等方面具有潜在的应用前景。同时ZnO在适当的制备条件及掺杂下还会表现出较好的低阻特征，因此可用作电极材料。生长在各种基底上的ZnO薄膜性质受到薄膜微观组织结构的显著影响，通常外延生长薄膜比多晶薄膜具有更佳的性质。然而，当基体(如Si)与ZnO薄膜具有较大晶格错配时，无法实现外延生长。针对这个难题，本工作提出了无理取向基体上ZnO薄膜外延生长的解决方案，应用O点阵理论和△g平行法则等晶体学方法，设计了能够实现ZnO外延生长的无理取向Si基体。
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