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氧化物薄膜/异质结的电致电阻(Electroresistance,ER)效应是指在外加电场或电流的作用下,薄膜/异质结的电阻在低阻(Rlow)和高阻(Rhigh)态之间可逆变化的现象.基于该效应人们提出了一种新型非易失性存储器概念—电阻式随机存储器(RRAM).
利用PMN-PT单晶构建场效应结构调控锰氧化物薄膜及其异质结的电输运特性
【摘 要】
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氧化物薄膜/异质结的电致电阻(Electroresistance,ER)效应是指在外加电场或电流的作用下,薄膜/异质结的电阻在低阻(Rlow)和高阻(Rhigh)态之间可逆变化的现象.基于该效应人们
【机 构】
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天津西青宾水西道393号 师天津范大学 电物理与子信息学院 300387
【出 处】
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中国物理学会2012年秋季学术会议
【发表日期】
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2012年期
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